Презентация на тему "Термомагнитные явления в полупроводниках"

Содержание

• 
  Слайд 1

  Термомагнитные явления в полупроводниках

  Определение Классификация и основные эффекты Термомагнитные явления в технике

• 
  Слайд 2

  Определение

  Термомагнитные явления - группа явлений, связанных с влиянием магнитного поля на электрические и тепловые свойства проводников и полупроводников, в которых существует градиент температуры. Термомагнитные явления, как и гальваномагнитные явления, обусловлены воздействием магнитного поля на движущиеся частицы, несущие электрический заряд (электроны в проводниках, электроны и дырки в полупроводниках). Магнитное поле искривляет траекторию движущихся зарядов и, в частности, отклоняет текущий по телу электрический ток и связанный с переносом частиц поток теплоты от первоначального направления. В результате появляются составляющие электрического тока и теплового потока в направлении, перпендикулярном магнитному полю, и наблюдаются другие явления.

• 
  Слайд 3
  

  Термомагнитные явления можно классифицировать, рассматривая взаимное расположение векторов: напряжённости магнитного поля Н, температурного градиента ÑТ в проводнике, плотности W теплового потока и вектора N, параллельного направлению, в котором измеряется явление. Т. я., измеряемые в направлении, перпендикулярном или параллельном первичному температурному градиенту, называются соответственно поперечными и продольными. Характерным примером Т. я. может служить возникновение в проводнике (металле) или полупроводнике электрического поля Е, если в теле имеется градиент температуры и в перпендикулярном к нему направлении накладывается магнитное поле Н (эффект Нернста — Эттингсхаузена).Возникшее поле Е имеет как продольную, так и поперечную составляющие, к которым также относится эффект Риги-Ледюка и ряд других явлений.

• 
  Слайд 4

  Классификация и основные эффекты термомагнитных явлений

  Эффект Нернста - Эттингсхаузена.  Возникновение электрического поля в металлах и полупроводниках при наличии градиента (перепада) температуры и перпендикулярного к нему внешнего магнитного поля. Относится к числу термомагнитных явлений. Открыт в 1886 В. Нернстом и А. Эттингсхаузеном (A. Ettingshausen). Различают продольный (изменение термоэлектродвижущей силы под действием магнитного поля, перпендикулярного градиенту температуры) и поперечный (появление эдс в направлении, перпендикулярном магнитному полю и градиенту температуры) эффекты Нерста-Эттингсхазена (часто называют эффектом Нернста).Эффект Н. — Э. обусловлен зависимостью времени релаксации носителей тока при взаимодействии с решёткой от их энергии (или скорости) и поэтому чувствителен к механизму рассеяния носителей тока. Из результатов исследования эффекта Н. — Э. можно получить информацию о подвижности носителей тока и времени релаксации

• 
  Слайд 5
  

  Эффект Риги — Ледюка Одно из термомагнитных явлений. Состоит в том, что в электрически разомкнутом проводнике, в котором есть градиент температуры и тепловой поток, при помещении в постоянное магнитное поле Н, перпендикулярное тепловому потоку, возникает разность температур в направлении, перпендикулярном первичному тепловому потоку и магнитному полю. Р. — Л. э. открыт почти одновременно в 1887 итальянским физиком А. Риги (A. Righi) и французским физиком С. Ледюком (S. Leduc). Обусловлен искривлением траектории электронов в магнитном поле (как и Холла эффект).Мерой Р. — Л. э. служит коэффициент Риги — Ледюка  . Здесь   — первичный градиент температуры,   — градиент температуры, возникающий при приложении магнитного поля. Согласно простейшим представлениям, ARL= еt/m*с, где t — время свободного пробега электрона, е — его заряд, m*— эффективная масса, с — скорость света. Знак ARL зависит от знака носителей тока; для электронов ARL0. Существует простое приближённое соотношение между ARL,константой Холла R и удельной проводимостью s: ARL = sR. Р. — Л. э., как и другие термомагнитные явления, лучше изучен в полупроводниках, чем в металлах, и служит для исследования подвижности носителей тока в твёрдом теле.  

• 
  Слайд 6

  Термомагнитные явления в технике

  Термомагнитные и термоэлектрические явления широко использованы в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках, полуметаллах и на их основе твердых растворов. Эти объекты нашли и широкое практическое применение в современной электронике. Все это связано, в основном, с высокой подвижностью электронов в них и с тем, что на их зонную структуру легко оказывать внешним воздействием: давлением, магнитным и электрическими полями, влиянием различного рода излучений, а также созданием на их основе изовалентных твердых растворов.   Следует отметить, что на основе термомагнитных, а также термоэлектрических явлений созданы уникальные фотоприемники, фотодиоды , фотодетекторы, работающие в широком диапазоне ИК-спектра.

• 
  Слайд 7