Презентация на тему "Флэш-память"

Скачать презентацию (0.52 Мб)
9 загрузок
4.0 оценка

1 из 18

ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Телеграм

Ваша оценка презентации

Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов

4.0

1 оценка

Аннотация к презентации

Посмотреть и скачать презентацию по теме "Флэш-память" по информатике, включающую в себя 18 слайдов. Скачать файл презентации 0.52 Мб. Средняя оценка: 4.0 балла из 5. Для студентов. Большой выбор учебных powerpoint презентаций по информатике

Формат

pptx (powerpoint)
Количество слайдов

18
Слова

информатика устройство компьютеров и гаджетов память флэш-память
Конспект

Отсутствует

Содержание

Слайд 1
Флэш-память

Презентация Арефьева Павла 392 гр.
Слайд 2
Флеш-память

Флеш-память (англ. flashmemory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Слайд 3
PROM

PROM (англ. ProgrammableRead-OnlyMemory) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память с пережигаемыми перемычками. Память представляла собой двумерный массив проводников (строк и столбцов) на пересечении которых создавалась специальная перемычка из металла (например, нихрома или титаново-вольфрамового сплава) или аморфного кремния. Программирование заключалось в пропускании через соответствующую перемычку тока, который заставлял её разорваться — расплавиться и испариться. Восстановление расплавленных перемычек невозможно.
Слайд 4
EPROM

EPROM (англ. ErasableProgrammableReadOnlyMemory) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память, для записи информации (программирования) в которую используется электронное устройство-программатор и которое допускает перезапись. Представляет собой матрицу транзисторов с плавающим затвором индивидуально запрограммированных с помощью электронного устройства, которое подаёт более высокое напряжение, чем обычно используеся в цифровых схемах. В отличие от PROM, после программирования данные на EPROM можно стереть (сильным ультрафиолетовым светом от ртутного источника света).
Слайд 5
EEPROM

EEPROM (англ. ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких как PROM и EPROM). Память такого типа может стираться и заполняться данными до миллиона раз. Эта конструкция снабжается элементами которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор то помимо подложки к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).
Слайд 6
NOR и NAND

Различаются методом соединения ячеек в массив и алгоритмами чтения-записи. Компоновка шести ячеек NOR flash Структура одного столбца NAND flash
Слайд 7
NOR

Конструкция NOR использует классическую двумерную матрицу проводников («строки» и «столбцы») в которой на пересечении установлено по одной ячейке. При этом проводник строк подключался к стоку транзистора, а столбцов к второму затвору. Исток подключался к общей для всех подложке. В такой конструкции было легко считать состояние конкретного транзистора подав положительное напряжение на один столбец и одну строку.
Слайд 8
NAND

Конструкция NAND — трехмерный массив. В основе та же самая матрица что и NOR, но вместо одного транзистора в каждом пересечении устанавливается столбец из последовательно включенных ячеек. В такой конструкции затворных цепей в одном пересечении получается много. Плотность компоновки можно резко увеличить (ведь к одной ячейке в столбце подходит только один проводник затвора), однако алгоритм доступа к ячейкам для чтения и записи заметно усложняется.
Слайд 9
NOR и NAND

Технология NOR позволяет получить быстрый доступ индивидуально к каждой ячейке, однако площадь ячейки велика. Наоборот, NAND имеют малую площадь ячейки, но относительно длительный доступ сразу к большой группе ячеек. Соответственно различается область применения: NOR используется как непосредственная память программ микропроцессоров и для хранения небольших вспомогательных данных. Топовые значения объемов микросхем NOR — 64 МБайт. NAND имеет топовые значения объема на микросхему в единицы гигабайт. На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена NOR флеш-памятью. Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой емкости независимо от технологии.
Слайд 10
Флэш-память

с несимметричной блочной структурой
Слайд 11
BootBlockFleshMemory (ББФП)

Схемам типа BootBlockFleshMemory(сокращенно ББФП)присуще блочное стирание данных и несиммметричная блочная структура. Блоки специализированы и имеют разные размеры. Среди них имеется так называемый Boot-блок(ББ),содержимое которого аппаратно защищено от случайного стирания. В ББ хранится программное обеспечение базовой системы ввода/вывода микропроцессорной системы BIOS, необходимое для правильной эксплуатации и инициализации системы.
Слайд 12
Блоки параметров и главные блоки

В составе блоков имеется БП(блоки параметров) и ГБ(главные блоки),не снабженные аппаратными средствами защиты от непредусмотренной записи. Блоки БП хранят относительно часто меняемые параметры системы(коды идентификаторов, диагностические программы и т.п).Блоки ГБ хранят основные управляющие программы.
Слайд 13
Расположения ББ

Микросхемы ББФП предназначены для работы с разными микропроцессорами и для соответствия им имеют 2 варианта расположения ББ в адресном пространстве: вверху и внизу, что отображается в маркировке ИС буквами Т(ТОР) или В (Воtооm). В настоящее время выпускаются ББФП с емкостями 1...16 мбит ,в последующих поколениях ожидаются ИС с информационными емкостями до 256 мбит.
Слайд 14
Адреса

Адреса задаются 19-разрядным кодом ,т.е в памяти хранится до 512 Кслов. Сигнал задает 8-разрядную ил 16-разрядную организацию памяти. При байтовой организации байты передаются по линиям ,а линия играет роль самого младшего разряда адреса , определяющего, какой байт данной ячейки передается(старший или младший).При словарной организации выводы являются линиями ввода/вывода данных.
Слайд 15
Напряжение на выводе RP

Напряжение на выводе RP (Reset/Power Down)может иметь три уровня: 12 В ±5% ,уровень логической единицы H и низкий уровень L.При напряжении 12 В ±5% ББ открыт и в нем могут выполняться операции стирания и программирования. При напряжении ниже 6,5 В ББ заперт.
Слайд 16
Экономии мощности

Имея ряд режимов экономии мощности, схемы ББФП, в частности, реализуют режим APS (Automatic Power Saving) ,благодаря которому после завершения цикла чтения схема автоматически входит в статический режим с потреблением тока около 1 мА,в котором находится до начала следующего цикла чтения. Когда схема не выбрана(при высоком уровне сигнала на выводе СЕ и выводе ,т.е потребление мощности снижается до уровня покоя(10мкА).При не только запрещается запись, но и вводится режим глубокого снижения мощности, в котором ток потребления снижается до долей мкА.
Слайд 17
Список используемой литературы

http://www.allbest.ru/ http://ru.wikipedia.org http://www.ammt.ru http://www.zadachi.org.ru http://referat.resurs.kz
Слайд 18
Конец

Спасибо за внимание