Презентация на тему "Микросхемы памяти"

Содержание

• 
  Слайд 1

  Микросхемы памяти

  SRAM, DRAM, NVSRAM

• 
  Слайд 2

  SRAM

  Статическая оперативная память с произвольным доступом (SRAM, staticrandomaccessmemory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее, сохранять данные без перезаписи SRAM может только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти.

• 
  Слайд 3

  Ячейка SRAM

  Типичная ячейка состоит из двух перекрёстно включённых инверторов и ключевых транзисторов для обеспечения доступа к ячейке. В настоящее время появилась усовершенствованная схема с обратной связью отключаемой сигналом записи, которая не требует транзисторов нагрузки и соответственно избавлена от высокого потребления энергии при записи. Шеститранзисторная ячейка статической двоичной памяти (бит) SRAM

• 
  Слайд 4

  Преимущества и недостатки SRAM

  Преимущества: Быстрый доступ. SRAM — это действительно память произвольного доступа, доступ к любой ячейке памяти в любой момент занимает одно и то же время. Простая схемотехника — SRAM не требуются сложные контроллеры. Возможны очень низкие частоты синхронизации, вплоть до полной остановки синхроимпульсов. Недостатки: Невысокая плотность записи (шесть-восемь элементов на бит, вместо двух у DRAM). Вследствие чего — дороговизна килобайта памяти.

• 
  Слайд 5

  DRAM

  DRAM (Dynamicrandomaccessmemory, Динамическая память с произвольным доступом) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом; DRAM широко используемая в качестве оперативной памяти современных компьютеров, а также в качестве постоянного хранилища информации в системах, требовательных к задержкам. Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных, строку от 1 до 4 бит. Совокупность ячеек такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.

• 
  Слайд 6

  Принцип действия DRAM

  Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковых микросхем памяти. Cтрока является минимальной порцией обмена с динамической памятью, поэтому обмен данными с отдельно взятой ячейкой невозможен Принцип чтения DRAM

• 
  Слайд 7

  nvSRAM

  nvSRAM (nonvolatile SRAM) – энергонезависимая память, основанная на технологиях SRAM.Технология совмещает скорость SRAM и надежность энергонезависимой память, такой как EEPROM. nvSRAM соответствует стандартному расположению выводов по стандарту JEDEC для асинхронной SRAM, предоставляет полностью произвольный доступ к памяти и может быть соединена и использоваться микроконтроллером или микропроцессором как любая стандартная SRAM.Однако, внутри микросхемы есть специальный микроконтроллер и аналоговая схема, которые контролируют напряжение питания микросхемы. При любом сбое в напряжении питания, система немедленно автоматически сохраняет данные из всех ячеек SRAM в примыкающие к каждой из них энергонезависимые ячейки. Когда нормальное напряжение питания восстанавливается, данные переносятся обратно в ячейки SRAM и продолжается нормальная работа.

• 
  Слайд 8
  

  Технология производства nvSRAM - это стандартная технология КМОП с добавленной частью SONOS для энергонезависимости. Сохранение данных происходит за счет улавливания заряда в слое нитрида кремния, находящегося между слоями оксида.

• 
  Слайд 9

  Преимущества nvSRAM

  Энергонезависимость. Высокая скорость записи и чтения. Нет ограничений из-за необходимости стирания целых блоков или страниц, как для некоторых других видов энергонезависимой памяти. Расположение выводов микросхемы и временные характеристики совпадают с обычной SRAM. Использование стандартной КМОП технологии, используемой для производства миллионов изделий.