Презентация на тему "ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В МЕТАЛЛАХ"

Содержание

• 
  Слайд 1

  ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В МЕТАЛЛАХ

• 
  Слайд 2
  

  Природа электрического тока в металлах Опыт Рикке + ток 1 год До опытов Рикке было хорошо известно, что ток в жидкостях и газе связан с перено- сом вещества. Целью данного эксперимента было выяснение вопроса – существует ли хотя бы в малейшей степени перенос вещества при прохождении тока по металлу. С этой целью Рикке взял три цилиндра с тщательно отполированными торцами, составил из них электрическую цепь, как это показано на рисунке, и пропускал по этой цепи ток в одном направлении в течение длительного времени (1 год). Затем он разобрал цепь и тщательно исследовал под микроскопом торцы, находившиеся в контакте друг с другом. Cu Cu Al

• 
  Слайд 3
  

  Результаты эксперимента Оказалось, что на контактирующих торцах цилиндров не обнаружено следов другого металла Вывод Прохождение электрического тока по металлу не связано с переносом вещества

• 
  Слайд 4
  

  Опыт Стюарта и Толмена Носители электрического тока в металлах являются свободными в том смысле, что при сколь угодно малом напряжении в проводнике возникает ток (механическая аналогия – брусок, лежащий на Земле сдвинется с места начиная только с определенной величины силы. Большой корабль при отсутствии ветра и течения можно сдвинуть с места одним мизинцем) Идея эксперимента Если проводник разогнать до большой скорости и затем резко затормозить, то носители заряда продолжат движение по инерции, и в цепи должен возникнуть кратковременный ток

• 
  Слайд 5
  

  «Водяная» аналогия При резком торможении тележки вода продолжает свое движение по инерции и выливается из кузова тележки

• 
  Слайд 6
  

  удалось определить отношение . Оно оказалось равным 1,8·1011 Кл/кг. Эта величина совпадает с отношением заряда электрона к его массе, найденным ранее из других опытов.

• 
  Слайд 7
  

  Классическая теория проводимости металлов Друде и Лорентц предложили рассматривать электроны в металле как свободный газ. Скорость теплового хаотического движения свободных электронов определяется соотношением: где m – масса электрона, m=9,1∙10-31кг V – скорость теплового движения k- постоянная Больцмана, k= Т – абсолютная температура При комнатной температуре скорость теплового движения свободных электронов составляет величину ~105м/с

• 
  Слайд 8
  

  Однако в рамках этой теории возникли трудности. Из теории следовало, что удельное сопротивление должно быть пропорционально корню квадратному из температуры , между тем, согласно опыту, ρ ~ Т. Кроме того, теплоемкость металлов, согласно этой теории, должна быть значительно больше теплоемкости одноатомных кристаллов. В действительности теплоемкость металлов мало отличается от теплоемкости неметаллических кристаллов. Эти трудности были преодолены только в квантовой теории.

• 
  Слайд 9
  

  Скорость упорядоченного движения электронов в металле Оценим скорость упорядоченного движения электронов в металле, считая, что на каждый атом металла приходится по одному свободному электрону. Пусть по проводнику сечением S=1 мм2течет ток I=10 А где n – концентрация электронов Если масса вещества в единице объема – это плотность ρ, а μ – молекулярный вес, то ρ/μ - это число молей в единице объема. NА- число Авогадро –число атомов в одном моле. Откуда и

• 
  Слайд 10
  

  М.б. самостоятельно найти для меди и сравнить с тепловой

• 
  Слайд 11
  

  Температурная зависимость проводимости металлов Для металлов при комнатной температуре и вышенаблюдается линейный рост сопротивления стемпературой: R=R0+α·Δt, где α – температурный коэффициент сопротивления,Δt-разница междутекущей температурой и температурой, прикоторой R=R0. Для чистых металлов α ≈1/273 К-1. 1 2 T, K Tc ρ

• 
  Слайд 12
  

  При низких температурах колебаниякристаллической решетки не оказывают существенного влиянияна движение свободных электронов. Удельное сопротивление ρне изменяется с температурой (график№1). Для некоторых металлов при температуре Тс сопротивление становится равным нулю – проводник переходит в сверхпроводящее состояние (график №2) 1 2 T, K Tc ρ

• 
  Слайд 13
  

  Контактные явления

• 
  Слайд 14
  

  Понятие о работе выхода Работа выхода – это энергия, которую необходимо затратить, чтобы удалить электрон из металла в вакуум на ∞

• 
  Слайд 15
  

  Электрон, находящийся вне металла, вызывает появление индукционного заряда на его поверхности. Эти индукционные заряды притягивают к себе электрон, находящийся в вакууме, затрудняя тем самым его удаление от поверхности металла. Сила взаимодействия электрона с индуцированным зарядом – это сила зеркального изображения. Работа выхода – это работа, совершаемая против сил зеркального изображения Fз.и. + + + + + h h

• 
  Слайд 16
  

  Интегрировать от поверхности металла (х=0) нельзя, т.к. интеграл расходится, работа равна бесконечности Как быть ??? Концентрация свободных электронов в металле ~1028м-3 и она не может измениться скачком до нуля на переходе металл- вакуум – часть электронного облака «выпирает» наружу и на границе металл-вакуум образуется двойной электрический слой

• 
  Слайд 17
  

  + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + ионы, находящиеся в узлах кристаллической решетки свободные электроны тонкий приповерхностный слой, обедненный электронами слой электронов, «выпирающий» наружу

• 
  Слайд 18
  

  Модель От поверхности металла (х=0) до некоторого расстояниях=а электрон движется в однородном электрическом поле, образованном обедненным приповерхностным слоем металла и облаком «выпирающих» электронов. Начиная с расстояния х=а на электрон действуют силы зеркального изображения F x a

• 
  Слайд 19
  

  Тогда работа выхода складывается из работы по преодолению двойного электрического слоя и работы против сил зеркального изображения

• 
  Слайд 20
  

  Контактная разность потенциалов (КРП)

• 
  Слайд 21
  

  Приведем в соприкосновение два различных металла. В каждом из металлов имеются свободные электроны и поэтому возникает поток электронов из одного металла в другой и наоборот. Вопрос: от чего зависит величина тока исходящего из металла? Очевидно: чем выше концентрация свободных носителей тока, тем больше ток; чем меньше работа выхода, тем больше ток; Мет.1 Мет.2

• 
  Слайд 22
  

  Мет.1 Мет.2 Пусть ток, текущий из первого металла (Мет1) во второй I1 больше обратного тока I2. Тогда Мет1 будет заряжаться +, а Мет2 – отрицательно. Возникающая при этом разность потенциалов приводит к уменьшению тока I1 с одновременным увеличением тока I2. Рост U между металлами будет продолжа- ться до тех пор, пока не произойдет выравнивание токов I1= I2 . Возникающая при этом разность потенциалов носит название КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ - Uкрп

• 
  Слайд 23
  

  Термоэлектрические явления Составим замкнутую цепь из двух разнородный металлов 1 2 Uкрп1 Uкрп2 I=0 т.к. Ʃuкрп=0 На каждом из контактов возникает контактная разность потенциалов, но ток в цепи отсутствует, т.к. алгебраическая суммаU крп равна нулю.

• 
  Слайд 24
  

  Для того, чтобы в этой цепи возник электрический ток необходимо нарушить условия динамического равновесия на одном из контактов – изменить его температуру. Тогда │U крп1│≠│U крп2│,I≠ 0 , в цепи возникает термо ЭДС. Т1 Т2 εтермо=α (Т2-Т1) где α- коэффициент термоЭДС, зависящий от природы соединяемых материалов

• 
  Слайд 25
  

  Практическое использование ………… термопара mV Tx To Один из спаев разнородных металлов находится при известной температуре То. ( на рисунке это вода, в которой плавает лед – 0оС). Второй спай помещается туда, где необходимо измерить температуру (Тх). Предварительно для данной пары металлов производится градуировка милливольтметра и по его показаниям определяется величина Тх согласно соотношению: U= α (Т0-Тx)

• 
  Слайд 26
  

  Эффект Пельтье Мет.1 Мет.1 Мет.2 ток А В При пропускании тока по цепи, составленной из разнородных металлов, на фоне Ленц-Джоулева тепла на одном из контактов (пусть А) происходит дополнительное выделение теплоты, а на другом (В) – ее поглощение.

• 
  Слайд 27
  

  Объяснение: если средняя энергия свободных электронов (W1) в первом металле больше, чем во втором (W2), то электроны, переходя из Мет.1 в Мет.2 отдают часть своей энергии на контакте А, принимая энергию электронов в Мет.2. Когда электроны переходят из Мет.2 в Мет.1 (контакт В), то они должны получить дополнительную энергию в соответствии с энергией W1 - контакт В охлаждается. Мет.1 Мет.1 Мет.2 ток А В

• 
  Слайд 28
  

  Дополнительное тепло, выделяющееся на одном из контактов или поглощаемое на другом, определяется соотношением: ΔQ = П· I·t, где П – коэффициент Пельтье, величина которого зависит от природы контактирующих материалов, I- сила тока, t- время Для металлов этот эффект сравнительно невелик, однако для полупроводниковых материалов он нашел практическое применение – созданы полупроводниковые холодильники, а в последнее время полупроводниковые модули используются и для охлаждения электронных элементов компьютеров

• 
  Слайд 29
  

  Эффект Томсона Т1 Т2≠Т1 Томсон теоретически показал, что, подобного явлению Пельтье, при прохождении электрического тока даже по однородному проводнику, вдоль которого создан градиент температуры, должно наблюдаться добавочное выделение или поглощение тепла кроме обычного ленц-джоулева тепла в зависимости от направления тока.

• 
  Слайд 30
  

  Электрический ток в полупроводниках

• 
  Слайд 31
  

  Как и в случае металлов, прохождение электрического тока по полупроводнику не связано с переносом вещества и обусловлено движением электронов. Проводимость полупроводников существенно ниже, чем у металлов, но в отличие от металлов она изменяется в широких пределах в зависимости от наличия примесей и различного рода внешних воздействий – нагрева или охлаждения, облучения светом и микрочастицами В настоящее время полупроводники- это фундамент микро- и нано- электроники, бытовой электроаппаратуры

• 
  Слайд 32
  

  Общие представления о проводимости полупроводников Рассмотрим представления о проводимости полупроводников на примере «классического» полупроводника – Si Атомы Si имеют четыревалентных электрона. В кристаллической решетке каждый атом окружен четырьмя ближайшими соседями. Связь между атомами в кристалле Si является ковалентной, т. е. осуществляется парами валентных электронов. Идеальный кристалл Si при температуре Т=0 К является изолятором

• 
  Слайд 33
  

  При Т>0 К часть ковалентных связей рвется и появляются свободные электроны, участвующие в проводимости Число разорванных связей растет с увеличением температуры, электронная проводимость увеличивается

• 
  Слайд 34
  

  Обрыв связей и появление свободных электронов приводит еще к одному эффекту, увеличивающему проводимость: электроны соседних атомов перескакивают на освобожденное место и возникает так называемая дырочная проводимость Пустое место (вакансия), заряженная +, перемещается по полю, создавая эффект движения + заряда – дырочная проводимость

• 
  Слайд 35
  

  Зонная модель полупроводников При Т=0 К валентная зона заполнена полностью, зона проводимости - пуста Электроны, полностью заполняющие зону, не могут участвовать в электрическом токе – под действием электрического поля на длине свободного пробега они должны двигаться с ускорением, т. е. переходить на более высокий энергетический уровень. Однако все уровни уже заняты. При Т=0 К полупроводник является изолятором

• 
  Слайд 36
  

  При Т>0 К часть электронов из валентной зоны, преодолев запрещенную зону, переходит в зону проводимости. Электроны в зоне проводимости участвуют в электрическом токе- электронная проводимость (полупроводник n типа) Электроны в валентной зоне также участвуют в электрическом токе т.к. появились свободные энергетические состояния- дырочная проводимость (полупроводник р типа) Интенсивность перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости растет с увеличением температуры Проводимость полупроводников растет с температурой

• 
  Слайд 37
  

  Влияние примесей на проводимость полупроводников Если в кристаллическую решетку Si – элемента 4-ой группы внедрить атомы из 5-ой группы, имеющих лишний электрон, то в зонной модели появится энергети- ческий уровень в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости, заполненный электронами. При Т=0 К проводимость отсутствует. При Т>0 К электроны переходят в зону проводимости – возникает электронная проводимость При дальнейшем увеличении температуры начинается интенсивный переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости – это уже собственная проводимость

• 
  Слайд 38
  

  Если в кристаллическую решетку Si – элемента 4-ой группы, внедрить атомы из 3-ей группы, имеющих электронов на один меньше, то в зонной модели появится энергетический уровень в запрещенной зоне вблизи вершины валентной зоны не заполненный электронами. При Т=0 К проводимость отсутствует. При Т>0 К электроны переходят из валентной зоны на акцепторные уровни, появляются свободные состояния в валентной зоне – возникает дырочная проводимость При дальнейшем увеличении температуры начинается интенсивный переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости – это уже собственная проводимость

• 
  Слайд 39
  

  Влияние света на проводимость полупроводников Если ширина запрещенной зоны ΔЕ меньше энергии кванта света hu, то возникает так называемый внутренний фотоэффект – переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости Появление электронов в зоне проводимости и свободных мест в валентной зоне приводит к увеличению проводимости полупроводника.

• 
  Слайд 40
  

  Контактные явления Как уже говорилось ранее контактные явления – эффекты Зеебека, Пельтье, Томсона в полупроводниках проявляются существенно более ярко по сравнению с металлами, что и позволило использовать эти материалы для создания изделий в промышленном масштабе Современный автомобильный полупроводниковый холодильник, работа которого основана на эффекте Пельтье Старинный термоэлектрический генератор, работа которого основана на эффекте Зеебека. Он устанавливался на керосиновые лампы и использовался в 60-ые годы для питания радиоприемников

• 
  Слайд 41
  

  р-n переход Первооснова полупроводниковой электроники – этор-n пере- ход, образующийся на контакте полупроводников р и n типов Проводимость полупроводников n типа в основном осуществляется за счет электронов - основные носители, дырки являются неосновными носителями Проводимость полупроводников р типа в основном осуществляется за счет дырок- основные носители, электроны являются неосновными носителями

• 
  Слайд 42
  

  При контакте полупроводников n и р типов происходит диффузия электронов из n области в р область и наоборот – дырок из робласти в n область. Возникает контактная разность потенциалов. р n р n + - При подаче прямого напряжения (+ к р области, - к nобласти) высота и ширина потенциального барьера понижается, возрастает число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Ток быстро нарастает с увеличением приложенного напряжения.

• 
  Слайд 43
  

  р n р n + - При подаче обратного напряжения (- к р области, + к n области) высота и ширина потенциального барьера увеличивается, уменьшается число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Ток через р-n переход определяется неосновными носителями – он обычно мал и почти не зависит от напряжения. При изменении знака U значение тока через переход может изменяться в 105 — 106 раз. Благодаря этому p-n-переход используется для выпрямления переменных токов

• 
  Слайд 44
  

  Органические полупроводники Необычный характер проводимости обнаружен в сравнительно новом классе полупроводниковых материалов – органических полупроводниках. Так в ориентированных полимерных системах анизотропия проводимости, во взаимнопернендикулярных направлениях достигает двух порядков. Эти материалы нашли применение в создании тонкопленочных элементов фотоэлектрических устройств, терморезисторов, тензодатчиков, антистатиков, датчиков влажности, приборов для измерения вакуума