Презентация на тему "ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ"

Содержание

• 
  Слайд 1

  ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

  Оптоэлектроника– раздел науки и техники, в котором изучаются вопросы генерации, обработки и хранения информации при совместном использовании оптических и электрических явлений. В оптоэлектронике в качестве носителя информации используются электромагнитные волны оптического диапазона, т.е. длины волн от 1 нм до 1 мм. В оптических цепях носителем информации являются электрически нейтральные фотоны, которые не взаимодействуют между собой и не смешиваются. В электрических цепях носителями являются электроны, которые взаимодействуют с внешними электрическими и магнитными полями, что требует экранирования и защиты от них. Невосприимчивость оптического излучения к различным внешним воздействиям даёт ряд преимуществ оптоэлектронным приборам. По принципу действия ОП подразделяются на приборы с внешним и внутренним фотоэффектом.

• 
  Слайд 2

  Функциональные элементы ОЭП

  Основные достоинства: 1. Идеальная гальваническая развязка; 2. Идеальные вентильные свойства в направлении передачи информации; 3.Высокая помехозащищённость оптических каналов связи; 4.Высокая плотность упаковки информации; 5. Хорошая совместимость ОЭП с ИМС и т.д.

• 
  Слайд 3

  Оптические излучатели

  1. Лампы накаливания (достоинства и недостатки); 2. Газоразрядные источники (достоинства и недостатки); 3. Электролюминисцентные(достоинства и недостатки); 4. ЖКИ (достоинства и недостатки); 5 СИД; 6. Лазерные источники (достоинства и недостатки) и т. д. Светодиоды

• 
  Слайд 4

  Особенности работы СИД

  hγ = λ =   У СИД на основе Si – ( 1,15 эВ) - излучение в ИК диапазоне   Для получения видимого излучения ( λ =0,38- 0,78 мкм) используют: арсенид галия (GaAs); карбид кремния(SiC) и т.д. с более широкой  

• 
  Слайд 5

  Основные характеристики и параметры СИД

  Основные параметры СИД: - цвет свечения (зависит от исходного материала); -яркость свечения J= (ед.- десятки) микро кандел - максимальный прямой ток Iа.max.доп= (10ки100ни)мА; - номинальное прямое напряжение Uпр = 1,02,5 В; - максимальное обратное напряжение Uобр.max.доп= 1цы10ки В; - быстродействие -1цы мкс. АЛ316А

• 
  Слайд 6

  Схемы защиты СИД по Imax Umaxи схемы сигнализации

  Rогр. =   Uобрmax = UобрmaxVDз К недостаткам СИД относятся: - необходимость защиты от больших токов; - необходимость защиты от превышения Uобр.

• 
  Слайд 7

  Области использования СИД

• 
  Слайд 8

  Разновидности СИД

• 
  Слайд 9
  
• 
  Слайд 10

  Фотоэлектрические приборы с внешним фотоэффектом

  Внешний фотоэффект - это явление выбивания электронов с поверхности металла под дейст­вием светового излучения. Приборы с внешним фотоэффектом –это фотоэлементы и фотоэлектронные умножители К =Iф/Ф при Uа =const Ку =Iа / Iо

• 
  Слайд 11

  Фоторезисторы

  1. Чувствительность: S =dIф /dФ при Е = const; 2.Номинальное значение фототока IФном. 3.Темновое сопротивление Rтемн; 4.Коэффициент перекрытия К =. Rтемн/Rфном 5.Рабочее напряжение Uраб.

• 
  Слайд 12

  Фотодиоды (режим фотогенератора)

  Еф = Se*Ф Режим фотогенератора

• 
  Слайд 13

  Фотодиоды (режим фотопреобразователя)

  Iф = SiФ 1. Чувствительность Si =dIф /dФ 2. Рабочее напряжениеUобр. 3.Rд =ΔU обр/Δфпри Ф= const  

• 
  Слайд 14

  ФОТОТРАНЗИСТОРЫ и ФОТОТИРИСТОРЫ

  IК = β Iф = β Si Ф

• 
  Слайд 15
  
• 
  Слайд 16

  Оптопары и оптроны

• 
  Слайд 17

  Классификация оптопар

  Канал отражённого типа Закрытый канал Открытый канал

• 
  Слайд 18