Презентация на тему "Полевые транзисторы"

Презентация: Полевые транзисторы
Включить эффекты
1 из 10
Ваша оценка презентации
Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
0.0
0 оценок

Комментарии

Нет комментариев для данной презентации

Помогите другим пользователям — будьте первым, кто поделится своим мнением об этой презентации.


Добавить свой комментарий

Аннотация к презентации

Интересует тема "Полевые транзисторы"? Лучшая powerpoint презентация на эту тему представлена здесь! Данная презентация состоит из 10 слайдов. Также представлены другие презентации по физике. Скачивайте бесплатно.

  • Формат
    pptx (powerpoint)
  • Количество слайдов
    10
  • Слова
    физика
  • Конспект
    Отсутствует

Содержание

  • Презентация: Полевые транзисторы
    Слайд 1

    Полевые транзисторы

    Выполнил: ГБОУ РМ (ССУЗ) «АИТ» В.Б.СИДОРОВА – преподаватель. pptcloud.ru

  • Слайд 2

    Определение:

    Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

  • Слайд 3

    Классификация полевых транзисторов

  • Слайд 4

    Схема и структура полевого транзистора

  • Слайд 5

    Вольт-амперные характеристики

    При неизменном напряжении Uзи определяют стоковые или выходные свойства полевого транзистора при зависимости тока стока Iс от Uси напряжения. На стартовом участке характеристик электроэнергия стока возрастает с увеличением Uси, далее осуществляется перекрытие канала, и прирост тока Iс останавливается.

  • Слайд 6

    Полевой транзистор со встроенным каналом

  • Слайд 7

    Принцип работы

    С - сток, И - исток, З - затвор 1.На затворе нету потенциала, подаём разность потенциалов на сток и исток(допустим на сток + а на исток -, хотя без разницы) на исток. Ток при этом проходит через транзистор, точнее через n+ слой, так как имеются носители заряда - электроны. Ток через p слой не течёт вследствие подсоединения к нему отрицательного потенциала напряжения от истока.(этот случай соответствует рисунку) 2.Уменьшаем потенциал затвора (U0), при положительном потенциале вследствие того же эффекта поля положительный потенциал уже притягивает электроны, поэтому канал расширяется за счёт электронов под истоком и стоком и ток при напряжении насыщения становится максимальным. Нетрудно догадаться, что при максимальном токе глубина n слоя везде одинакова.

  • Слайд 8

    Полевой транзистор с индуцированным каналом

    . мального тока при максимальном канале.

  • Слайд 9

    условные графические изображения полевых транзисторов (а - с каналом p-типа, б - с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-слою.

  • Слайд 10

    ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

    Напряжение отсечки Uотс Крутизнахарактеристики: S=∆Iс/∆Uзи при U с=const Входное сопротивление : Rвх =∆ Uзиmax ∆Iзmax Выходноесопротивление: Rвых = ∆ Uс при Uзи = сonst ∆Iс

Посмотреть все слайды

Сообщить об ошибке