Презентация на тему "Полупроводниковые лазеры"

Содержание

• 
  Слайд 1

  Полупроводниковые лазеры

  Выполнила: Вартанова Анна У4-02 pptcloud.ru

• 
  Слайд 2

  Содержание:

  Полупроводниковые лазеры и их особенности Историческая справка Люминесценция и инверсия населенностей в полупроводниках Методы накачки в п.л. Инжекционные лазеры П.л. с электронной накачкой П.л. материалы Применение п.л.

• 
  Слайд 3

  Полупроводниковый лазер -

  полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В П. л. возбуждаются и излучают (коллективно) атомы, слагающие кристаллическую решётку.

• 
  Слайд 4

  Важные особенности п.л.

  Компактность Высокая эффективность преобразования электрической энергии в энергию когерентного излучения (до 30—50%); Малая инерционность, обусловливающая широкую полосу частот прямой модуляции (более 109 Ггц); Простота конструкции; Возможность перестройки длины волны излучения и наличие большого числа полупроводников, непрерывно перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм.

• 
  Слайд 5

  Историческая справка:

  1959 г. – опубликована первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера 1961 г. – для этих целей предложено применение p-n переходов 1962 г. – осуществлены п.л. На кристалле GaAs (США) 1964 г. – осуществлен п.л. с электронным возбуждением; сообщено о создании п.л. с оптической накачкой 1968 г. – созданы п.л. с использованием гетероструктуры.

• 
  Слайд 6
  

  Люминесценция в полупроводниках (а) Инверсия населённостей в полупроводниках (б)

• 
  Слайд 7

  Методы накачки в п.л.

  Инжекция носителей тока через р—n-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры); Накачка пучком быстрых электронов; Оптическая накачка; Накачка путём пробоя в электрическом поле. Наибольшее развитие получили П. л. первых двух типов.

• 
  Слайд 8

  Инжекционные лазеры

• 
  Слайд 9

  П.л. с электронной накачкой

• 
  Слайд 10

  Полупроводниковые лазерные материалы:

• 
  Слайд 11

  Применение п.л.

  Оптическая связь (портативный оптический телефон, многоканальные стационарные линии связи); Оптическая локация и специальная автоматика (дальнометрия, высотометрия, автоматическое слежение и т.д.); Оптоэлектроника (излучатель в оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические системы памяти), Техника специального освещения (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров и др.); Обнаружение загрязнений и примесей в различных средах; Лазерное проекционное телевидение 1 — электронная пушка; 2 — фокусирующая и отклоняющая система; 3 — полупроводниковый кристалл — резонатор; 4 — объектив; 5 — экран.

• 
  Слайд 12

  Спасибо за внимание!