Содержание
-
Электрический ток в полупроводниках Литература: Питер Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. § 5.1, 5.2, 5.5.2 Дж. Займан. Основы теории твердого тела. § 6.5, 6.6 pptcloud.ru
-
Электропроводность, проводимость s [Ом-1м-1] s зависит от Т, от освещенности, от дефектов, примесей, состава разброс более чем в1000 раз Удельное сопротивление
-
Электрический транспорт Движение электрона в электрическом поле F t - время рассеяния носителей на примесях и фононах Стационарный режим Скорость дрейфа Плотность тока Проводимость Подвижность
-
Плотность носителей тока Металлы: Полупроводники: InAs InN
-
Время рассеяния носителей В металлах В полупроводниках
-
100 -1000 см2/(В·с). электронов в металле ~ Подвижностьносителей тока
-
Электронно-дырочный ток в полупроводнике
-
Зонная структура InSb
-
Зависимость сопротивления от температуры Металл Чистый полупроводник
-
Ширина запрещенной зоны, Eg (eV)
-
Как экспериментально изучают электропроводность полупроводников?
-
Электронные переходы при поглощении света Прямые и непрямые межзонные переходы
-
Зонная структура и спектр поглощения Ge
-
Край собственного поглощения Примерный спектр поглощения типичного полупроводника группы III-V
-
Эффект Холла
-
El
-
Временная релаксация фотопроводимости
-
Проводимость примесных полупроводников Доноры Ge: P, As, Sb
-
Акцепторы Ge: Al, Ga, In
-
Проводимость чистого полупроводника примесного полупроводника
-
Зависимость проводимости от концентрации примеси
-
Полупроводниковый диод
-
Транзистор – полупроводниковый триод Структура биполярного n-p-n транзистора. Ток через базу управляет током «коллектор-эмиттер».
-
Движение электрона в кристалле Групповая скорость волнового пакета:
Нет комментариев для данной презентации
Помогите другим пользователям — будьте первым, кто поделится своим мнением об этой презентации.