Презентация на тему "Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами."

Включить эффекты
1 из 16
Смотреть похожие
Ваша оценка презентации
Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
0.0
0 оценок

Рецензии

Добавить свою рецензию

Аннотация к презентации

Посмотреть и скачать бесплатно презентацию по теме "Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами.". pptCloud.ru — каталог презентаций для детей, школьников (уроков) и студентов.

  • Формат
    pptx (powerpoint)
  • Количество слайдов
    16
  • Слова
    другое
  • Конспект
    Отсутствует

Содержание

  • Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами.
    Слайд 1

    Методы выращивания монокристаллов кремния. Сравнение. Сферы применения монокристаллов, выращенных различными методами.

  • Слайд 2

    Общая информация

    Кремний обладает алмазоподобной кристаллической решеткой, которая может быть представлена в виде двух взаимопроникающих гранецентрированных решеток. Параметр решетки - 0.54 нм, кратчайшее расстояние между атомами - 0.23 нм. Легирующие атомы замещают атомы кремния, занимая их место в кристаллической решетке. Основными легирующими атомами являются фосфор (5ти валентный донор замещения) и бор (3-х валентный акцептор замещения). Их концентрация обычно не превышает 10-8 атомных процента.

  • Слайд 3

    Этапы производства кремния

    Технология получения монокристаллов полупроводникового кремния состоит из следующих этапов: 1. получение технического кремния; 2. превращение кремния в легколетучее соединение, которое после очистки может быть легко восстановлено; 3. очистка и восстановление соединения, получение кремния в виде поликристаллических стержней; 4. конечная очистка кремния методом кристаллизации; 5. выращивание легированных монокристаллов

  • Слайд 4

    Методы выращивания

    1. Метод Чохральского 2. Зонная плавка

  • Слайд 5

    Метод Чохральского

    Идея метода получения кристаллов по Чохральскому заключается в росте монокристалла за счет перехода атомов из жидкой или газообразной фазы вещества в твердую фазу на их границе раздела. Скорость роста V определяется числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения атомов, поступающих из жидкой фазы, и особенностями переноса на границе раздела. Тигель - кварцевый Атмосфера роста – инертная (аргона при разрежении ~104 Па.) Направление вращения тигля – противоположное вращению монокристалла

  • Слайд 6

    В начале процесса роста монокристалла часть затравочного монокристалла расплавляется для устранения в нем участков с повышенной плотностью механических напряжений и дефектами. Затем происходит постепенное вытягивание монокристалла из расплава. Круглый затравочный кристалл кремния с фрагментом начала оттяжки Для получения монокристаллов кремния методом Чохральского разработано и широко используется высокопроизводительное автоматизированное оборудование, обеспечивающее воспроизводимое получение бездислокационных монокристаллов диаметром до 200— 300 мм. С увеличением загрузки и диаметра кристаллов стоимость их получения уменьшается.

  • Слайд 7

    При больших массах расплава снижение стоимости становится незначительным за счет высокой стоимости кварцевого тигля и уменьшения скорости выращивания кристаллов из-за трудностей отвода скрытой теплоты кристаллизации С целью дальнейшего повышения производительности процесса и для уменьшения объема расплава, из которого производится выращивание кристаллов, интенсивное развитие получили установки полунепрерывного выращивания. Производится дополнительная или периодическаязагрузка кремния

  • Слайд 8

    Легирование

    Для получения монокристаллов п- или р-типа с требуемым удельным сопротивлением проводят соответствующее легирование исходного поликристаллического кремния или расплава. В загружаемый поликремний вводят соответствующие элементы (Р, В, As, Sb и др.) или их сплавы с кремнием, что повышает точность легирования.

  • Слайд 9

    Метод зонной плавки

    Метод используется при выращивании монокристаллов полупроводников и диэлектриков. Выращивание кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки (БЗП) осуществляют на основе одновиткового индуктора (типа «игольного ушка»), внутренний диаметр которого меньше диаметра исходного поликристаллического стержня и кристалла.

  • Слайд 10

    Скорость выращивания кристаллов методом БЗП вдвое больше, чем по методу Чохральского, благодаря более высоким градиентам температуры. А диаметр кристаллов кремния доведен до 150 мм (что уступает кристаллам, выращенным методом Чохральского) Легирование проводят из газовой фазы путем введения в газ-носитель (аргон) газообразных соединений легирующих примесей.

  • Слайд 11

    Примеси в БЗП

    Основными фоновыми примесями в монокристаллах кремния являются кислород, углерод, азот, быстродиффундирующие примеси тяжелых металлов. Концентрация кислорода в кристаллах, получаемых методом БЗП, обычно составляет 2·1015 — 2·1016 см-3. Углерод в кремнии является одной из наиболее вредных фоновых примесей Содержание углерода в кристаллах, получаемых по методу Чохральского и БЗП, составляет 5·1016 — 5*1017 см -3

  • Слайд 12

    Дальнейшая обработка

    Из установки извлекают кремниевый слиток диаметром 20 - 50 см и длиной до 3 метров. Для получения из него кремниевых пластин заданной ориентации и толщиной в несколько десятых миллиметра производят следующие технологические операции. 1. Механическая обработка слитка: - отделение затравочной и хвостовой части слитка; - обдирка боковой поверхности до нужной толщины; - шлифовка одного или нескольких базовых срезов (для облегчения дальнейшей ориентации в технологических установках и для определения кристаллографической ориентации); - резка алмазными пилами слитка на пластины: (100) - точно по плоскости (111) - с разориентацией на несколько градусов. 2. Травление. На абразивном материале SiC или Al2O3 удаляются повреждения высотой более 10 мкм. Затем в смеси плавиковой, азотной и уксусной кислот, приготовленной в пропорции 1:4:3, или раствора щелочей натрия производится травление поверхности Si. 3. Полирование - получение зеркально гладкой поверхности. Используют смесь полирующей суспензии (коллоидный раствор частиц SiO2 размером 10 нм) с водой.

  • Слайд 13

    В окончательном виде кремний представляет из себя пластину диаметром 15 - 40 см, толщиной 0.5 - 0.65 мм с одной зеркальной поверхностью. Вид пластин с различной ориентацией поверхности и типом

  • Слайд 14

    Сравнение

  • Слайд 15

    Дефекты

    Точечные дефекты (по Френкелю, по Шоттки, атомы примеси в положении замещения, атомы примеси в междоузльи) Линейные дефекты (краевая дислокация, винтовая дислокация) Поверхностные дефекты (границы зерен монокристаллов, двойниковые границы, объемные дефекты в кремнии) При росте кристаллов кремния с очень низкой плотностью дислокаций возникают микродефекты.  Дефекты кристаллов кремния, выращенными вышепредставленными методами, в большинстве своем являются бездислокационными

  • Слайд 16

    Применение

    1. Для производства интегральных схем (Чохральский) 2. для изготовления приборов, не требующих высоких значений удельного сопротивления (до 25 Ом·см) из-за загрязнения кислородом и другими примесями из материала тигля (Чохральский) 3. Монокристаллы кремния, получаемые методом БЗП, составляют около 10 % общего объема производимого монокристаллического кремния и идут в основном на изготовление дискретных приборов, особенно тиристоров большой мощности.

Посмотреть все слайды

Предложить улучшение Сообщить об ошибке