Презентация на тему "Вакуумное оборудованиедля производства структур ИМС"

Содержание

• 
  Слайд 1
  

  Урок-совещание Тема: Основные критерии работоспособности (КР) вакуумного оборудования

• 
  Слайд 2

  Вакуумное оборудованиедля производства структур ИМС

• 
  Слайд 3

  участок ионного легированияТиповая установка для ионного легирования

  1 - источник ионов 2 - масс-спектрометр 3 - диафрагма 4 - источник высокого напряжения 5 - ускоряющая трубка 6 - линзы 7 - источник питания линз 8 - система отклонения луча по вертикали 9 - система отклонения луча по горизонтали 10 - мишень для поглощения нейтральных частиц 11 - подложка

• 
  Слайд 4
  

  Установка "Везувий-9 М" оснащена эффективными источниками многозарядных ионов, позволяющими: получить ток двухзарядных ионов фосфора, мышьяка и сурьмы 1000 мкА, а ток трехзарядных ионов — 400 мкА; получить для имплантации ионы тяжелых элементов с кратностью заряда 4,5. На установке можно применять как поштучный, так и групповой режимы имплантации, при которых на полупроводниковые пластины подается регулируемое пилообразное напряжение амплитудой до 5 кВ и частотой 50 и 427 Гц и осуществляется двухкоординатное электростатическое сканирование пучка ионов 1 — ионный источник; 2 — магнит источника; 3 — компенсатор; 4 — сильфон; 5 —магнитный масс-сепаратор; 6,12— отклоняющая система; 7 —одиночная линза; 8,14 —вакуумный затвор; 9, 18 — крионасос; 10, 17 — ускорительная трубка; 11,16— магнитная ловушка; 13, 22 — цилиндр Фарадея; 15 — устройство сканирования пучка; 20 — датчики юстировки ионного пучка; 21 — подавляющий электрод; 23 — корпус приемной камеры; 26 — нагреватель; 28 — привод механического сканирования; 29 — полупроводниковая пластина Высокоэнергетическая установка ионного легирования “Везувий 9М”

• 
  Слайд 5

  Установка ионной имплантации больших доз "Везувий -8 М"

  способствует ее непрерывной работе без разгерметизации до 100 ч. В масс-сепараторе применены постоянные магниты малых габаритов и массы, имеющие стабильное и однородное поле. В установке использовано электростатическое двухкоординатное сканирование с частотой 30 и 2500 Гц соответственно в горизонтальном и вертикальном направлениях. Четыре датчика дозиметрии (цилиндры Фарадея) способствуют контролю однородности имплантации и настройке пучка на центр мишени. Установка позволяет получать неоднородность имплантации при легировании не более 1 % в широком диапазоне доз и хорошую воспроизводимость при обработке пластин кремния ионами бора и фосфора с различными энергиями и дозами. Установка "Везувий -8 М" ионной имплантации больших доз предназначена для непрерывного режима работы в производстве" МОП БИС, где требуется высокая воспроизводимость дозы легирования, и используется для имплантации ионов бора, фосфора и мышьяка в пластины диаметром 76, 100 и 125 мм. Установка оснащена двумя модифицированными источниками дугового разряда с прямонакальным катодом, встроенными в масс-сепаратор, что

• 
  Слайд 6
  

  Установка “Везувий-3М” 1. масс-сепаратор; 2. одиночная линза; 3. система формирования; 4. источник ионов бора; 5. источник ионов фосфора; Установка ионнолучевая УЛИ.П-150-003 “Везувий-3М” с двухкамерным приёмным устройством повышенной производительности для групповой обработки пластин увеличенного диаметра 76-100-150 мм предназначена для имплантации малых и средних доз ионами бора, фосфора, мышьяка, цинка для производства МДП БИС. Диапазон энергии ионов от 15 до 150 кэВ. Установка представляет собой технологический высоковольтный электрофизический комплекс, в котором в условиях высокого вакуума осуществляется получение ионов различных веществ, сепарация ионного пучка, формирование, ускорение до заданной энергии и легирование партии полупроводниковых пластин в групповом режиме до набора заданной дозы поочерёдно в двух камерах.

• 
  Слайд 7
  

  Установка “Лада-20” Установка "Лада-20" предназначена для легирования полупроводниковых пластин диаметром 76 и 100 мм ионами массой до 100а.е.м. (бор, фосфор, мышьяк), пучок которых имеет ток до 200 мкА в диапазоне энергий 20-200 кэВ. Установка оснащена автоматическим приемным устройством непрерывного действия для индивидуальной (поштучной) обработки полупроводниковых пластин, максимальная производительность которого 200шт/ч. Управляет работой вакуумной системы, а также процессом легирования пластин автоматическая система, оснащенная микроЭВМ. Дополнительно контролировать ход имплантации можно, визуально наблюдая его на экране осциллографа. Информационная система микроЭВМ дает распечатку (цифро-печать) основных технологических параметров имплантации на каждую полупроводниковую пластину, что является их сопроводительным документом(паспортом). 1 - электромагнит масс-анализатора, 2 - пульт управления высоковольтным напряжением, 3 - коллиматор, 4 - ускорительная трубка, 5, 7 - диффузионные насосы с криогенными азотными ловушками, 6,14 -горизонтальные и вертикальные отклоняющие пластины, 8 - шлюзовое устройство выгрузки, 9 - механизм выгрузки, 10 - приемная камера, 11, 12 - шлюзовое устройство и механизм загрузки, 13 - поворотный столик приемной камеры, 15 - электроды квадрупольной линзы, 16 -корпус установки, 17 - высоковольтный источник вытягивающего напряжения, 18 - источник ионов, 19 - диффузионный насос

• 
  Слайд 8

  Установка ионного легирования ТИУС-200/2

  Ионно-лучевая установка типа ТИУС-200/2 является высоковольтным ионным имплантером с энергией, устанавливаемой с относительной точностью 1%. Возможно использование 4-х типов ионов с оперативным переключением и любой тип ионов с заменой источников и рабочих веществ (газовые соединения или испарение из твердой фазы). Время перехода с одного рабочего вещества на другое - не более 20 мин. Двухкоординатное перемещение держателя обрабатываемых изделий обеспечивает высокую однородность легирования по всей площади Основные системы: Ионный источник: газоразрядный с накаливаемым катодом, позволяет работать на 3-х испаряемых и 2-х газообразных веществах. Приемные камеры: легкозаменяемые, адаптируемые под тип продукции. Система откачки: безмасляная на базе криогенных и турбомолекулярных насосов. Система управления: автоматизированная на базе программируемых контроллеров с ПЭВМ в качестве пульта оператора. Габариты установки: Высота: 2,5 м, площадь: 3,0х4,0 м

• 
  Слайд 9
  

  Установка «Днепр» Предназначено для обработки пластин диаметром 76-150 мм. ионами различных веществ (бор, фосфор, мышьяк) с энергией до 200кэВ. Установка построена на модульном принципе и обеспечивает индивидуальную обработку пластин

• 
  Слайд 10

  Участок пиролиза

  Установка Изоплаз-150

• 
  Слайд 11
  

  Схема реактора установки «УВП-2М» с плазменной активацией реагентов при пониженном давлении

• 
  Слайд 12
  
• 
  Слайд 13

  Изотрон 4-150

  Оборудование, предназначенное для получения диэлектрических слоев

• 
  Слайд 14
  
• 
  Слайд 15
  

  Установка Corial 200R Установка осаждения диэлектриков при пониженном давлении.

• 
  Слайд 16
  
• 
  Слайд 17
  

  Участок напыления Установка вакуумного испарения ВАК-760 фирмыBalzers

• 
  Слайд 18
  
• 
  Слайд 19
  

  Оратория 5

• 
  Слайд 20
  

  Внутрикамерная оснастка с кольцевыми и овально-протяженными планарными магратронами

• 
  Слайд 21
  
• 
  Слайд 22

  Внутрикамерная оснастка с овально-протяженными магратронами

• 
  Слайд 23
  
• 
  Слайд 24
  
• 
  Слайд 25

  Внутрикамерная оснастка установок периодического действия

• 
  Слайд 26
  
• 
  Слайд 27

  Внутрикамерная оснастка установки «Оратория 22»

• 
  Слайд 28

  Схема установки вакуумного испарения с резистивным нагревом

• 
  Слайд 29
  

  Типы резистивных источников испарения: а-спиральная проволока, б-лодочка, в-лодочка с дефлектором, г-тигель

• 
  Слайд 30

  Резистивный испаритель непрерывного действия

• 
  Слайд 31

  Индукционный испаритель

• 
  Слайд 32

  Электроннолучевой испаритель

• 
  Слайд 33

  Схема установки катодного распыления типа УВН

• 
  Слайд 34

  Схема многокамерной установки Varian m-2i

• 
  Слайд 35

  Оратория 29

  Вакуумная установка напыления металлических плёнок с магнетронной системой (модернизированная) и адсорбционной ловушки.

• 
  Слайд 36

  Установка магнетронного напыления

  Предназначена для создания функциональных гетероструктур на основе диэлектрических и полупроводниковых подложек с пленками металлов, оксидов, нитридов различного диапазона толщин (от микронного до наноразмерного).

• 
  Слайд 37
  

  Установка УВН-0.5М2И напыления нанокристаллических сверхтвердых покрытий

• 
  Слайд 38

  УЧАСТОК ПХТ

  схема сухого травления фоторезиста Плазма-НД

• 
  Слайд 39

  Сухое травление фоторезиста в кислородной плазмеустановка Плазма-150

• 
  Слайд 40

  Реактор ПХТ объемного типа 08ПХО-100Т-001 для удаления фоторезиста

• 
  Слайд 41
  
• 
  Слайд 42
  
• 
  Слайд 43
  

  Схема диодной системы высокого давления – установка с загружаемым катодом08 ПХО-100Т-005

• 
  Слайд 44

  Планарный реактор с загружаемым анодом 08 ПХО-100Т-004

• 
  Слайд 45
  

  Схема реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы08 ПХО125/50-008

• 
  Слайд 46

  Установка Лада-35 (Gir – 260)

  Установка Лада-35 представляет собой автоматическую установку, предназначенную для травления материала, необходимого для изготовления микроэлектронных компонентов. Автоматическое управление осуществляется посредством микропроцессорной системы. В автоматическом режиме машина выполняет следующие операции: выгрузка пластины из подающей кассеты; загрузка пластин в реакторы; травление; выгрузка пластин в приемную кассету; хранение прошедших травление пластин в приемной кассете.

• 
  Слайд 47

  КАРОЛИНА пхт15

  Установка «Каролина 15 ПХТ»

• 
  Слайд 48
  

  Блок-схема изучения оборудования напыления, ПХТ, пиролиза, ионной имплантации

  Неисправности Методы устранения

• 
  Слайд 49
  

  Блок-схема общих направлений обслуживания и совершенствования вакуумного оборудования

  ТИП Метод устранения Вид работ Периодичность

• 
  Слайд 50

  Перспективное оборудование для производства структур ИМС

• 
  Слайд 51
  

  Установка Plasmalab 100 предназначена для плазмохимического осаждения, реактивно-ионного травления, плазмохимического травления.

  Конфигурации Plasmalab 100 для плазмохимического травления зависят от модификации. Их существует три. В двух травятся пластины диаметром 200 мм, а в другой 100 мм. Возбуждение плазмы высокочастотное. Так же отличие есть в количестве линий газоподач. В некотором случае их восемь, в других двенадцать.

• 
  Слайд 52
  

  НаноПЛАЗМА обеспечивает: скорость анизотропного травления: кремния от 1 до 3 мкм/мин - двуокиси кремния, кварца, стекла от 0,5 до 1 мкм/мин - неравномерность травления плюс два процента - аспектное соотношение один к десяти

• 
  Слайд 53

  Установка LAM

  Установка LAM предназначена для травления поликристаллического кремния. Установка включает в себя: - систему загрузки-выгрузки пластин - источник пламы - катод и анод - рабочую камеру Установка работает в автоматическом режиме.

• 
  Слайд 54

  Установка Presign

  Установка Presign предназначена для травления металлических слоев. Принимает платины диаметром 150 мм. Работает в автоматическом режиме. Человек введет процесс посредство сенсорного экрана лазерной указки. Имеет два реактора.

• 
  Слайд 55

  Corial 200I

  Corial 200I – это установка плазмохимического травления индуктивно совмещенной плазмой с вакуумным шлюзом предназначена для травления GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe, AlN, InAs, Al и Si. Особенно хорошо система подходит для травления арсенида галлия. Если система укомплектована CCD-камерой с лазерным датчиком окончания процесса, это дает возможность автоматической многошаговости процесса. Система плазмохимического травления в индуктивно совмещенной плазме с ручной системой загрузки под контролем компьютера. Установка включает в себя: - источник высокоплотной плазмы - катод - насосную систему - систему электронного контроля источник питания (высоковольтный и низковольтный) - газовую камеру - персональный компьютер

• 
  Слайд 56
  
• 
  Слайд 57
  
• 
  Слайд 58
  

  Установка для напыления Auto 306 R & D с вакуумной камерой из борсиликатного стекла.

• 
  Слайд 59
  

  Установка для напыления Auto 306 R & D с фронтально открывающейся камерой FL 400.

• 
  Слайд 60
  

  Вид установки с электронно-лучевым испарителем и ВЧ-распылительной системой вместе со шкафом управления в 19 дюймовой стойке и системой управления потоком продуктов распыления

• 
  Слайд 61
  

  Модуль термического испарения из тигля или с проволочным испарителем. На рисунке показан встроенный защитный экран предотвращающий от нежелательного подпыления стенки вакуумной камеры и примыкающие к модулю принадлежности

• 
  Слайд 62
  

  Механизм крепления плоского подложкодержателя, перемещающийся в трех измерениях

• 
  Слайд 63
  

  Электронно-лучевой испаритель для напыления многокомпонентного покрытия

• 
  Слайд 64
  

  Спасибо за внимание!