Презентация на тему "Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов"

Содержание

• 
  Слайд 1

  Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов

• 
  Слайд 2
  

  3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов диодной группы В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».

• 
  Слайд 3
  

  Выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения; б) диодные микросборки; в) конструкция маломощного диода Мощные выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения; б) диодные силовые модули; в) конструкция силового диода

• 
  Слайд 4
  

  Структура плоского диода Структура точечного диода Структура ПП диодов: а) с p-n переходом; б) с n –i переходом

• 
  Слайд 5
  

  I а= I0 -1   Типовые вольт- амперные характеристики диода.

• 
  Слайд 6
  

  Основные статические параметрам диода: Номинальный прямой ток Iан; • прямое напряжение Unpна диоде при Iан; Uобр. макс. доп. напряжение включения Uвкл • обратный ток Iобр; rпр =ΔUпр/ΔIa- мало; rобр =ΔUобр/ΔI0 -велико; К динамическим параметрам относятся: предельная частота без переключения fмах •  время нарастания прямого тока tнар; •  время рассасывания tрасс. время восстановления tвос τр - время жизни неосновных носителей

• 
  Слайд 7
  

  d =   Uобр. мак. ==        

• 
  Слайд 8
  

  q =   I1 =- коэффициент трансформации     Uобр. мак. ==       Ia=Id /2 P2 =2U2a* I2 =1,74 Pd P1 =U1 * I1 =1,23 Pd P расч. = =1,48 Pd  

• 
  Слайд 9
  

    d =   Ia=Id /2 q =   P2 =2U2a* I2 =1,74 Pd P1 =U1 * I1 =1,23 Pd P расч. = =1,48 Pd   Uобр. мак.=   I2 =   I1 =  

• 
  Слайд 10
  
• 
  Слайд 11
  
• 
  Слайд 12
  
• 
  Слайд 13

  Стабилитроны

  Стабилитроны: а) внешний вид; б) типовая ВАХ; в) условное изображение.

• 
  Слайд 14
  

  UСUСmaxUCmin; IС =IСmax, - IСmin UC ; IC min ; IC max ; UПР . KC   rc =   rпр=   ВАХ стабилитрона ВАХ стабистора άст =  

• 
  Слайд 15
  
• 
  Слайд 16
  
• 
  Слайд 17
  

  Схемы включения стабилитронов и особенности их работы

• 
  Слайд 18

  Тунельный и обращённый диод

• 
  Слайд 19

  ВАРИКАП

  Основные параметры варикапов Сн - номинальная ёмкость Ԛ = Xc/rпот - добротность KC = Cmax/Cmin– коэффициент перекрытия αт =ΔC / C *ΔT- температурный коэффициент  

• 
  Слайд 20
  
• 
  Слайд 21