Презентация на тему "Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов"

Включить эффекты
1 из 21
Смотреть похожие
Ваша оценка презентации
Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
5.0
1 оценка

Рецензии

Добавить свою рецензию

Аннотация к презентации

Презентация для школьников на тему "Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов" по физике. pptCloud.ru — удобный каталог с возможностью скачать powerpoint презентацию бесплатно.

  • Формат
    pptx (powerpoint)
  • Количество слайдов
    21
  • Слова
    другое
  • Конспект
    Отсутствует

Содержание

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов
    Слайд 1

    Классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов

  • Слайд 2

    3. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов диодной группы В технической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые».

  • Слайд 3

    Выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения; б) диодные микросборки; в) конструкция маломощного диода Мощные выпрямительные диоды: а) дискретного исполнения; б) диодные силовые модули; в) конструкция силового диода

  • Слайд 4

    Структура плоского диода Структура точечного диода Структура ПП диодов: а) с p-n переходом; б) с n –i переходом

  • Слайд 5

    I а= I0 -1   Типовые вольт- амперные характеристики диода.

  • Слайд 6

    Основные статические параметрам диода: Номинальный прямой ток Iан; • прямое напряжение Unpна диоде при Iан; Uобр. макс. доп. напряжение включения Uвкл • обратный ток Iобр; rпр =ΔUпр/ΔIa- мало; rобр =ΔUобр/ΔI0 -велико; К динамическим параметрам относятся: предельная частота без переключения fмах •  время нарастания прямого тока tнар; •  время рассасывания tрасс. время восстановления tвос τр - время жизни неосновных носителей

  • Слайд 7

    d =   Uобр. мак. ==        

  • Слайд 8

    q =   I1 =- коэффициент трансформации     Uобр. мак. ==       Ia=Id /2 P2 =2U2a* I2 =1,74 Pd P1 =U1 * I1 =1,23 Pd P расч. = =1,48 Pd  

  • Слайд 9

      d =   Ia=Id /2 q =   P2 =2U2a* I2 =1,74 Pd P1 =U1 * I1 =1,23 Pd P расч. = =1,48 Pd   Uобр. мак.=   I2 =   I1 =  

  • Слайд 10
  • Слайд 11
  • Слайд 12
  • Слайд 13

    Стабилитроны

    Стабилитроны: а) внешний вид; б) типовая ВАХ; в) условное изображение.

  • Слайд 14

    UСUСmaxUCmin; IС =IСmax, - IСmin UC ; IC min ; IC max ; UПР . KC   rc =   rпр=   ВАХ стабилитрона ВАХ стабистора άст =  

  • Слайд 15
  • Слайд 16
  • Слайд 17

    Схемы включения стабилитронов и особенности их работы

  • Слайд 18

    Тунельный и обращённый диод

  • Слайд 19

    ВАРИКАП

    Основные параметры варикапов Сн - номинальная ёмкость Ԛ = Xc/rпот - добротность KC = Cmax/Cmin– коэффициент перекрытия αт =ΔC / C *ΔT- температурный коэффициент  

  • Слайд 20
  • Слайд 21
Посмотреть все слайды

Предложить улучшение Сообщить об ошибке