Презентация на тему "Полупроводниковые диоды-СТАБИЛИТРОН"

Включить эффекты
1 из 16
Смотреть похожие
Ваша оценка презентации
Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
0.0
0 оценок

Рецензии

Добавить свою рецензию

Аннотация к презентации

Посмотреть и скачать бесплатно презентацию по теме "Полупроводниковые диоды-СТАБИЛИТРОН". pptCloud.ru — каталог презентаций для детей, школьников (уроков) и студентов.

  • Формат
    pptx (powerpoint)
  • Количество слайдов
    16
  • Слова
    другое
  • Конспект
    Отсутствует

Содержание

  • Полупроводниковые диоды-СТАБИЛИТРОН
    Слайд 1

    Полупроводниковые диоды-СТАБИЛИТРОН

    Подготовил-ученик 201гр Роев Анатолий

  • Слайд 2

    Что такое-стабилитрон

    Стабилитроном называется полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого имеет область резкой зависимости тока от напряжения на обратном участке вольт-амперной характеристики.

  • Слайд 3

    ВАХ стабилитрона имеет вид, представленный на рисунке 4.9

    Рис. 4.9. Вольт-амперная характеристика (а) и конструкция корпуса (б) стабилитрона

  • Слайд 4

    При достижении напряжения на стабилитроне, называемого напряжением стабилизации Uстаб, ток через стабилитрон резко возрастает. Дифференциальное сопротивление Rдиф идеального стабилитрона на этом участке ВАХ стремится к 0, в реальных приборах величина Rдиф составляет значение: Rдиф ≈ 2÷50 Ом.

  • Слайд 5

    Основное назначение стабилитрона

    стабилизация напряжения на нагрузке, при изменяющемся напряжении во внешней цепи. В связи с этим последовательно со стабилитроном включают нагрузочное сопротивление, демпфирующее изменение внешнего напряжения. Поэтому стабилитрон называют также опорным диодом.

  • Слайд 6

    Напряжение стабилизации Uстаб зависит от физического механизма, обуславливающего резкую зависимость тока от напряжения. Различают два физических механизма, ответственных за такую зависимость тока от напряжения, - лавинный и туннельный пробой p-n перехода

  • Слайд 7

    Туннельный пробой в полупроводниках

    Проанализируем более подробно механизмы туннельного и лавинного пробоя. Рассмотрим зонную диаграмму диода с p-n переходом при обратном смещении при условии, что области эмиттера и базы диода легированы достаточно сильно (рис. 4.10).

  • Слайд 8

    Рис. 4.10. Зонная диаграмма диода на базе сильнолегированного p-n перехода при обратном смещении

  • Слайд 9

    Квантово-механическое рассмотрение туннельных переходов для электронов показывает, что в том случае, когда геометрическая ширина потенциального барьера сравнима с дебройлевской длиной волны электрона, возможны туннельные переходы электронов между заполненными и свободными состояниями, отделенными потенциальным барьером.

  • Слайд 10

    Форма потенциального барьера обусловлена полем p-n перехода. На рисунке 4.11 схематически изображен волновой пакет при туннелировании через потенциальный барьер треугольной формы Рис. 4.11. Схематическое изображение туннелирования волнового пакета через потенциальный барьер

  • Слайд 11

    Рассмотрим, как зависит напряжение туннельного пробоя от удельного сопротивления базы стабилитрона. Поскольку легирующая концентрация в базе ND связана с удельным сопротивлением ρбазысоотношением ND = 1/ρμe, получаем:    (4.21) Из уравнения (4.21) следует, что напряжение туннельного пробоя Uz возрастает с ростом сопротивления базы ρбазы.

  • Слайд 12

    Эмпирические зависимости напряжения туннельного пробоя Uz для различных полупроводников имеют следующий вид: германий (Ge): Uz = 100ρn + 50ρp;кремний (Si): Uz = 40ρn + 8ρp,где n, p - удельные сопротивления n- и p-слоев, выраженные в (Ом·см).

  • Слайд 13

    Приборные характеристики стабилитронов

    Основными характеристиками стабилитрона являются ток Iст и напряжение Uст стабилизации, дифференциальное напряжение стабилитрона rст и температурная зависимость этих параметров. На рисунке 4.13 приведены дифференциальные параметры различных стабилитронов.

  • Слайд 14

    Приборные характеристики

    Рис. 4.13. Дифференциальные параметры различных стабилитронов:а) зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока 2С108; б) зависимость изменения напряжения стабилизации от температуры для различных типономиналов стабилитрона 2С108; в) зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока 2С351

  • Слайд 15

    Как следует из приведенных данных, значение дифференциального сопротивления для стабилитронов обратно пропорционально току стабилизации и составляет десятки Ом при рабочих параметрах токов. Точность значения напряжения стабилизации составляет десятки милливольт в стандартном температурном диапазоне.

  • Слайд 16

    Поставтепожайлусто 12 балов

    Подготовил ученик 201 Роев Анатолий

Посмотреть все слайды

Предложить улучшение Сообщить об ошибке