Презентация на тему "Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях"

Содержание

• 
  Слайд 1

  ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА»

  ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ «ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧНЫХ ПРЕДПРИЯТИЯХ»

• 
  Слайд 2

  ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПРОГРАММЕ

  Цель:сформировать у слушателей компетентность в области конструирования, технологии производства и моделировании проводниковых приборов и интегральных микросхем Категория обучаемых: инженеры-конструкторы всех категорий, инженеры-технологи всех категорий Форма обучения:с отрывом от работы Срок обучения:72 академических часа

• 
  Слайд 3

  УЧЕБНЫЙ ПЛАН

• 
  Слайд 4
  

  СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ«Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях»

  ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Классификация полупроводников. Кристаллическая структура и дефекты. Зонная структура полупроводников. Электронные состояния кристаллов. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Оже рекомбинация. Физика полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором. Общая характеристика и основные операции технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и ИМС. Сравнительный анализ методов формирования легированных областей полупроводниковых структур. Современные виды технологического оборудования в кристальном производстве. Сборка полупроводниковых приборов и ИМС. Основные технологические процессы сборки. Технологические процессы при изготовлении полупроводниковых приборов на широкозонных полупроводниках.

• 
  Слайд 5
  

  СТРУКТУРА ПРОГРАММЫ «Производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на высокотехнологичных предприятиях»

  ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Программа создания моделей полупроводниковых приборов Seditor. Программа физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов Sdevice. Общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN. Сравнение, новые возможности. Технология SiC. Особенности конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных SiC диодов и транзисторов Технология GaAs. Особенности технологии и конструирования быстровосстанавливающихся высоковольтных GaAs диодов и транзисторов

• 
  Слайд 6

  СОДЕРЖАНИЕ МОДУЛЕЙ

  ПМ 1. Конструирование и технология производства проводниковых приборов и интегральных микросхем. Рассматриваются физические основы полупроводников, полупроводниковых приборов и элементов ИМС, применяемые в их производстве материалы, технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, устройство и номенклатура приборов. Изучается расчет и конструирование полупроводниковых приборов и ИМС.

• 
  Слайд 7
  

  ПМ 2. Моделирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Полупроводниковые приборы на широкозонных полупроводниках. Рассматривается состав и структура пакета программ моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD. Изучаются программы создания моделей полупроводниковых приборов SEditor и физико-топологического моделирования полупроводниковых приборов SDevice. Даются общие сведения о полупроводниковых приборах на основе Si, GaAs, SiC, GaN и их новых возможностях. Рассматриваются особенности технологии и конструирования быстро восстанавливающихся высоковольтных GaAs p-i-n диодов, СВЧ транзисторов, диодов Шоттки на карбиде кремния и нитриде галлия.

• 
  Слайд 8

  ИНФРАСТРУКТУРА

  Университет располагает квалифицированными кадрами, комплексом оборудования и лицензионными пакетами программ для подготовки и переподготовки специалистов в области производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Структура и состав Synopsys TCAD Пакет программ для моделирования полупроводниковых приборов и элементов ИМС Synopsys TCAD Установка нестационарной спектроскопии глубоких уровней DLS-83D

• 
  Слайд 9

  ФОРМИРУЕМЫЕ КОМПЕТЕНТНОСТИ

  В производственно-технологической деятельности: ПК1.1.1 Готовность внедрять результаты разработок в производство

• 
  Слайд 10
  

  В проектно-конструкторской деятельности: ПК 1.2.1 Способность проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов ПК 1.2.2 Готовность выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования ПК 1.2.3 Готовность осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам

• 
  Слайд 11
  

  В научно-исследовательской деятельности: Способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области электроники и наноэлектроники ПК 1.3.2 Способность аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различного функционального назначения ПК 1.3.3 Готовность анализировать и систематизировать результаты исследований, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций

• 
  Слайд 12

  СТАЖИРОВКА В РОССИИ

• 
  Слайд 13

  СТАЖИРОВКА ЗА РУБЕЖОМ

• 
  Слайд 14

  СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!