Презентация на тему "Параметры биполярных транзистров"

Содержание

• 
  Слайд 1
  

  1 Тема урока: « Эквивалентные схемы.Параметры биполярных транзисторов

• 
  Слайд 2
  

  Цели занятия: обучающие: а) показать студентам процесс составления заданий на основе принципа последовательности: «от простой к усложняющейся дидактической величине», путем изменения числовых и введения буквенных коэффициентов; б) продолжить формирование умений и навыков при решении заданий по теме: «Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов»; в)формирование профессионализма технических знаний; г) сформировать умение делать оценки некоторых величин характеризующих и влияющих на работу биполярных транзисторов. развивающие:учить анализировать, выделять главное, обобщать, доказывать и опровергать логические выводы в предложенной дидактической величине. формировать на репродуктивном уровне проектные умения анализа, обобщения. воспитательные: а) обосновать значимость психологического аспекта изучаемой темы в курсе электронной техники; б) вырабатывать умение действовать в ситуации, отличной от заданного алгоритма.

• 
  Слайд 3
  

  Фронтальный опрос Дать определение биполярного транзистора. Какие типы биполярных транзисторов знаете? Назовите особенностибиполярного транзистора. 4. Что является основным носителем заряда в эмиттере и коллекторе? Что является основным носителем заряда в базе? 6. Описать принцип работы n-p-n транзистора

• 
  Слайд 4
  

  7.Перечислить режимы работы биполярного транзистора и дать краткую характеристику каждому режиму 8. Показать структурную схему и условное графическое изображение биполярных транзисторов. 9.Перечислить схемы включения биполярных транзисторов 10.Показать схемы включение биполярного транзистора.

• 
  Слайд 5

  Биполярные транзисторы

  Биполярные транзисторы 5 Полупроводниковый прибор, имеющий три электрода и два взаимодействующих между собой p–n-перехода, называется биполярным транзистором.

• 
  Слайд 6
  

  Биполярные транзисторы (БТ) Тип транзистора с тремя слоями полупроводника, различают n-p-n и p-n-p транзисторы, где n (negative) – электронный тип примесной проводимости, p (positive) – дырочный. Основные носители заряда: электроны и дырки («би» – два); электроды эмиттер, база, коллектор. Особенности транзистора: - площадь p-nперехода коллектора больше, чем эмиттера; - в базе мало носителей заряда, ее толщина невелика. Биполярный транзистор основной элемент усилителей и интегральных микросхем (операционные усилители,транзисторно-транзисторная, диодно-транзисторная логика и т.д.).

• 
  Слайд 7
  

  Эмиттер (Э), Коллектор (К): основные заряды электроны, не основные дырки; База (Б): основные заряды дырки, не основные электроны; p-nпереходы П1, П2 образованы ионами полупроводника.

• 
  Слайд 8
  

  База вызывает электроны из эмиттера, но переход эмиттер – коллектор для них открыт (здесь они не основные заряды) и большая часть уходит в коллектор, совсем немного доходит до базы. За счет этого происходит усиление базового тока (ток коллектора). n-p-n

• 
  Слайд 9

  Режимы работы биполярного транзистора

  9 9 В зависимости от того, какие напряжения действуют на переходах, различают 3 режима работы транзистора: активный режим работы или режим усиления, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении , а коллекторный в обратном; режим насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении; режим отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.

• 
  Слайд 10
  

  Биполярные транзисторы n-p-n и p-n-pтипа Структурная схема и графическое обозначение.

• 
  Слайд 11
  

  Схемывключения БТ: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) . ОБОЭОК

• 
  Слайд 12

  Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером

  Биполярные транзисторы 12 12

• 
  Слайд 13
  

  Включение биполярного транзистора n-p-n- типа по схеме с общим коллектором.

  Биполярные транзисторы 13 13

• 
  Слайд 14

  Включение биполярного транзистора n-p-n- типа по схеме с общей базой.

  Биполярные транзисторы 14 14

• 
  Слайд 15
  

  Схема с общим эмиттером Эквивалентные схемы и параметры биполярного транзистора (Объяснение нового материала)

• 
  Слайд 16
  

  Параметры биполярного транзистора собственные (или первичные) вторичные характеризуют свойства самого транзистора. различны, для различных схем включения.

• 
  Слайд 17
  

  17 Статические характеристики биполярных транзисторов Статический режим работы транзистора – режим работы при отсутствии нагрузки в выходной цепи. Статические характеристики связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них- этографически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи и выходной цепи (вольтамперные характеристики ВАХ). Их вид зависит от способа включения транзистора.

• 
  Слайд 18
  

  18 статический коэффициент передачиIЭ или : статический коэффициент усиления по току Статический коэффициент передачи тока базы :

• 
  Слайд 19
  

  Эквивалентная Т- образная схема транзистора с генератором ЭДС Эквивалентная Т- образная схема транзистора с генератором тока

• 
  Слайд 20
  

  Эквивалентная Т – образная схема транзистора включенного по схеме ОЭ- эквивалентная схема с генератором тока

  Биполярные транзисторы

• 
  Слайд 21
  

  21 h параметры схемы с общим эмиттером h11Э = UБЭ/IБ, при UКЭ = const: входное сопротивление транзистора переменному току при отсутствии выходного переменного напряжения. h12Э = UБЭ/UКЭ, при IБ = const: коэффициент обратной связи по напряжению – доля выходного переменного напряжения передаваемая на вход транзистора вследствие обратной связи в нем. h21Э = IК/IБ, при UКЭ = const: коэффициент усилия по току – усиление переменного тока транзистором при работе без нагрузки. h22Э = IК/UКЭ, при IБ = const: выходная проводимость переменного тока между коллектором и эмиттером. Выходное сопротивление RВЫХ=1/h22Э.

• 
  Слайд 22
  

  22 UmБЭ = h11ЭImБ+ h12ЭUmКЭ ImК = h21ЭImБ + h22ЭUmКЭ Эквивалентная схема БТ, система h-параметров

• 
  Слайд 23
  

  23 Схема с общим эмиттером применяется для усиления напряжения, тока, мощности Практическая часть Расчет схемы с общим эмиттером

• 
  Слайд 24
  

  24 Коэффициент усиления по току: или Входное сопротивление: или или - мощность рассеиваемая на транзисторе (тепловой пробой Т). (десятки-сотни). (десятки-сотни Ом). Выходное сопротивление: (сотни Ом – кОмы)

• 
  Слайд 25
  

  25 Коэффициент усиления по напряжению: Коэффициент усиления по мощности: Коэффициент полезного действия: полная потребляемая мощность схемы

• 
  Слайд 26
  

  26 КОНЕЦ