Презентация на тему "Статические параметры транзистора"

Включить эффекты
1 из 12
Смотреть похожие
Ваша оценка презентации
Оцените презентацию по шкале от 1 до 5 баллов
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
0.0
0 оценок

Рецензии

Добавить свою рецензию

Аннотация к презентации

Посмотреть и скачать бесплатно презентацию по теме "Статические параметры транзистора". pptCloud.ru — каталог презентаций для детей, школьников (уроков) и студентов.

  • Формат
    pptx (powerpoint)
  • Количество слайдов
    12
  • Слова
    другое
  • Конспект
    Отсутствует

Содержание

  • Статические параметры транзистора
    Слайд 1

    Статические параметры транзистора

    Статические параметры характеризуют свойства транзистора. При определении статических параметров используют семейства статических характеристик. Статические параметры делят на параметры малых сигналов и физические (собственные).При малых сигналах транзистор можно рассматривать как линейный активный четырехполюсник. Напряжения и токи четырехполюсника связаны между собой системами уравнений. Коэффициенты этих уравнений отражают свойства транзистора и являются его параметрами.

  • Слайд 2

    Определение статических параметров транзистора

    U1 = h11 I1 + h12 U2 I2 = h21 I1 + h22 U2

  • Слайд 3

    Статические параметры транзистора

    В системе уравнений в качестве независимых переменных выбраны входной ток и выходное напряжение. Коэффициенты h11 , h12, h21 , h22имеют определенный физический смысл и являются параметрами транзистора. Решая систему уравнений, нетрудно определить ее коэффициенты-параметры: h11= U1/ I1 при U2 = 0 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

  • Слайд 4

    h12 = U1/ U2 при I1 = 0 – коэффициент обратной передачи при холостом ходе на входе; h21= I2/ I1 при U2 = 0 – коэффициент усиления на входе при коротком замыкании на выходе; h22 = I2/ U2 при I1 = 0 – выходная проводимость при холостом ходе на входе, где h11 , h12, h21 , h22 являются входными и выходными параметрами. Параметры малыx сигналов зависят от схемы включения транзистора, поэтому они для различных схем включения а справочниках обозначаются индексом «б» для схемы с общей базой, «э» —для схемы с общим эмиттером. В ряде случаев оказывается более удобно поль­зования не параметрами четырехполюсника, а физическими параметрами транзистора, которые не зависят от схемы его включения.

  • Слайд 5

    Физические параметры транзистора

    rэ - сопротивление эмиттерного перехода с учетом объемного сопротивления эмиттерной области (несколько десятков омов); rк— сопротивление коллекторного перехода (несколько сотен килоом до мегоома); rб — объемное сопротивление базы (сотни омов).

  • Слайд 6

    Предельно-допустимые параметры транзисторов

    Предельная температура переходов Tnmax. У германиевых транзисторов значение Тn тахлежит в пределах 50—100° С, а у кремниевых — в пределах I20-200° С; Максимальная мощность, рассеиваемая транзистором: Pkmax = Ukmax(Tnmax - Tокр)/RТокр где Tокр - температура окружающей среды; Предельное напряжение коллекторного перехода Ukmax - максимальное напряжение, при котором отсутствует лавинный пробой.  

  • Слайд 7

    Температурные свойства транзисторов

    Повышение и понижение окружающей температуры изменяют положение входных, выходных характеристик, а также параметры транзистора. Основной причиной температурной нестабильности является зависимость обратного тока коллектора от температуры. При повышении температуры на каждые 10° С ток увеличивается примерно в 2 раза. Увеличение обратного тока приводит к смещению статических характеристик в сторону больших токов, что нарушает выбранный режим работы транзистора. Для обеспчениятермостабильности транзистора используют термостойкие материалы, например кремний и его соединения, а также различные схемы температурнойстабилизации режима работы транзистора.

  • Слайд 8

    Частотные свойства транзисторов

    Частотные свойства транзисторов обусловленыналичием емкостей эмиттерного и коллекторного переходов, а также подвижностью инжектированных эмиттером носителей зарядов в области базы. С повышением рабочей частоты реактивное сопротивление емкости электронно-дырочных переходов уменьшается и оказывает шунтирующее действие на сопротивление перехода. Существенное влияние оказывает емкость коллекторного перехода, так как ее реактивное сопротивление велико. Поскольку емкость коллекторного перехода для схемы с общим эмиттером примерно в h21э раз больше емкости коллекторного перехода для схемы с общей базой, то частотные свойства схемы с общим эмиттером хуже, чем схемы с общей базой.

  • Слайд 9

    Статические вольт-амперные характеристики для схемы с общей базой

  • Слайд 10

    Статические вольт-амперные характеристики для схемы с общим эмиттером

  • Слайд 11

    Динамический режим транзистора

    В практических устройствах электроники наиболее широкое распространение получила схема с общим эмиттером, обладающая наибольшим усилением по мощности. В выходную (коллекторную) цепь включена нагрузка RK, а во входную (базовую) цепь — источник входного сигнала с напряжением UBX. В этой схеме увеличение тока базы вызывает возрастание тока в цепи коллектора и уменьшение напряжения на коллекторе. Ток и напряжение на коллекторе связаны между собой уравнением Uкэ = Eк – IкRк Такой режим работы транзистора называют динамическим, а характеристики, определяющие связь между токами и напряжениями транзистора при наличии сопротивления нагрузки,— динамическими характеристиками. Динамические характеристики строят на семействе статических при заданных значениях напряжения источника питания коллекторной цепи Еки сопротивления нагрузки RK. Для построения выходной (коллекторной) динамической характеристики используют уравнение динамического режима, которое представляет собой уравнение прямой. Поэтому достаточно найти отрезки, отсекаемые прямой на осях координат. При I = 0 UKЭ = EKи при UK3 — 0 IK = Eк/RK

  • Слайд 12

    Выходная динамическая характеристика

Посмотреть все слайды

Предложить улучшение Сообщить об ошибке